星辰技术申请半导体器件及其制造方法专利，中间芯片包括电容器结构
创始人
2025-12-03 10:07:30
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国家知识产权局信息显示，湖北星辰技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121057229A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基底芯片、中间芯片和多个核心芯片；中间芯片设置在基底芯片上；多个核心芯片沿垂直于基底芯片所在平面的第一方向堆叠设置在中间芯片上；其中，中间芯片包括电容器结构，电容器结构包括至少一个电容器，电容器耦接至基底芯片和/或多个核心芯片中的至少一个。
天眼查资料显示，湖北星辰技术有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3785.7171万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北星辰技术有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目69次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息110条，此外企业还拥有行政许可28个。
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来源：市场资讯
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