国家知识产权局信息显示,国硅集成电路技术(无锡)有限公司申请一项名为“一种高压线性稳压器”的专利,公开号CN121050528A,申请日期为2025年8月。专利摘要显示,本发明公开了一种高压线性稳压器,属于集成电路技术领域。本发明电路至少包含耗尽型晶体管、基准电路、放大器、电阻等,其中耗尽型晶体管表示耗尽型NJFET或耗尽型NMOSFET器件,且具有高耐压作用,电路具有自启动功能,无需额外的供电单元。本发明电路能够有效实现降压和稳压功能,且不受耗尽型晶体管本身特性的影响。电路能够耐受高压,能对高压进行降压,而低压输入时,输出压差可以很低,因此本发明电路能够兼容很宽的输入电压。此外,电路同时可以通过增加NPN或者NMOS器件来实现更大的功率输出,此电路还具有结构简单、静态功耗低的优点。
天眼查资料显示,国硅集成电路技术(无锡)有限公司,成立于2020年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本743.0341万人民币。通过天眼查大数据分析,国硅集成电路技术(无锡)有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息31条,此外企业还拥有行政许可7个。
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