长江存储申请半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统专利，有利于提升电容值_资讯

长江存储申请半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统专利，有利于提升电容值

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2025-12-02 17:06:16

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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统”的专利，公开号CN121038284A，申请日期为2024年5月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体结构，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决电容结构的电容值提升困难的问题。本公开提供的一种半导体结构包括支撑层和电容结构。电容结构贯穿至少部分支撑层，电容结构包括第一电极层、第二电极层以及介电层；其中，第一电极层包括第一子电极层和第二子电极层，第一子电极层沿第一方向延伸，部分第二子电极层围绕第一子电极层设置，以及部分第二子电极层围绕第二电极层设置；部分第二电极层围绕第一子电极层设置；介电层位于第一子电极层和第二电极层之间，以及介电层位于第二子电极层和第二电极层之间。通过上述设置，增加了第一子电极层与第二电极层之间的正对面积，有利于提升电容值，改善电容结构的电容值提升困难的问题。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1438次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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