上海华力申请半导体结构制造方法及半导体结构专利，提升半导体结构的电学稳定性_资讯

上海华力申请半导体结构制造方法及半导体结构专利，提升半导体结构的电学稳定性

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2025-12-02 10:08:43

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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构的制造方法及半导体结构”的专利，公开号CN121038305A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，包括：提供包含硅的衬底，在所述衬底表面形成栅极和栅极侧墙；形成保护层，所述保护层采用与所述栅极侧墙相同的材料，所述保护层覆盖所述衬底表面、所述栅极顶部及所述栅极侧墙，所述保护层和所述衬底具有不同的刻蚀选择比；所述保护层与所述栅极侧墙的厚度之和等于所述目标厚度；在执行掺杂工艺和退火工艺后，去除位于所述栅极顶部和所述衬底表面的所述保护层，保留覆盖所述栅极侧墙的所述保护层。解决了在掺杂工艺中去胶和清洗步骤造成的衬底硅表面的氧化和材料损失，抑制了短沟道效应，防止在去除保护层的过程中损伤衬底，保护层和栅极侧墙的协同设计提升了半导体结构的电学稳定性。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2092次，专利信息2626条，此外企业还拥有行政许可396个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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