新存科技申请一种存储器的形成方法以及存储器专利，提高存储器的工作性能_资讯

新存科技申请一种存储器的形成方法以及存储器专利，提高存储器的工作性能

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2025-12-02 10:08:31

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国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种存储器的形成方法以及存储器”的专利，公开号CN121038291A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种存储器的形成方法以及存储器。所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成器件层，所述器件层包括存储单元；在所述器件层远离所述衬底的一侧形成第一介质层以及第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层远离所述器件层的一侧，所述第一介质层的氢含量大于所述第二介质层的氢含量；对所述第一介质层以及所述第二介质层进行退火处理，所述退火处理的气体包括氘气；在退火处理之后，形成贯穿所述第二介质层、所述第一介质层和所述器件层的第一插塞。通过上述技术特征的设置，能够提高对氢扩散的控制能力，从而提高存储器的工作性能。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目5次，专利信息164条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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