上海积塔半导体申请半导体器件及其制备方法专利，提高半导体器件性能_资讯

上海积塔半导体申请半导体器件及其制备方法专利，提高半导体器件性能

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2025-12-02 09:06:28

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国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121038307A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制备方法，该方法包括：提供衬底；蚀刻衬底以在衬底中形成尺寸不同的第一类型沟槽和第二类型沟槽；同步填充第一类型沟槽和第二类型沟槽，以分别在第一类型沟槽和第二类型沟槽中形成填充材料层，基于第一类型沟槽与第二类型沟槽的尺寸不同，第一类型沟槽与第二类型沟槽中的填充度不同；在第一类型沟槽与第二类型沟槽中的填充材料层上同步形成填充调整层；回刻蚀填充调整层，以调节第一类型沟槽与第二类型沟槽的填充度。通过在不同类型的沟槽中同步形成填充材料层之后，在填充材料层上形成填充调整层，并回刻蚀该填充调整层，以使不同类型的沟槽中的填充度均一，避免产生负载效应（loading），提高了半导体器件性能。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1913次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1283条，此外企业还拥有行政许可200个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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