铠侠申请半导体存储装置及其制造方法专利，可减少因构造或材料不同可能产生的变形
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2025-12-01 17:37:48
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及其制造方法”的专利，公开号CN121038281A，申请日期为2021年6月。
专利摘要显示，实施方式提供一种可减少因构造或材料不同可能产生的变形的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，交替逐层积层着多个导电层与多个绝缘层；多个第1板状部，是将所述积层体在它的积层方向贯通，同时在与所述积层方向交叉的第1方向横穿所述积层体的第1板状部，且空开间隙沿第1方向排列。
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来源：市场资讯
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