数字晶体管设计用来替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个单一晶体管，其单片偏置网络由两个电阻组成;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些零部件集成到单一设备中，从而消除它们。使用BRT可以降低系统成本和板块空间。

特性：

• 简化电路设计
• 减少板面空间
• 减少组分数量
• 适用于需要独特站点和控制变更需求的汽车及其他应用的NSV前缀;AEC-Q101合格且具备PPAP能力
• 这些设备无Pb、无卤素/无BFR，并且符合RoHS标准

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规格参数：

产品种类: 数字晶体管

RoHS:

配置: Single

晶体管极性: PNP

典型输入电阻器: 4.7 kOhms

典型电阻器比率: 1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min: 15

集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 100 mA

峰值直流集电极电流: 100 mA

Pd-功率耗散: 246 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMUN2132L

直流电流增益 hFE 最大值: 15

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: Digital Transistors

工厂包装数量：3000

子类别: Transistors

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg

引脚图：