长晶科技申请半导体结构专利，减低导通电阻_资讯

长晶科技申请半导体结构专利，减低导通电阻

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2025-11-29 16:08:40

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国家知识产权局信息显示，江苏长晶科技股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN121038334A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；多个方形元胞，位于衬底的一侧，每一方形元胞的俯视图呈方形；栅极，环绕方形元胞，且经由方形元胞的边沿中点连接相邻的方形元胞。首先，本申请设置方形元胞，以使的方形元胞可以以较整齐的方式排列，增加了元胞密度。其次，相对于条形元胞，半导体结构中的台面结构（mesa）具有较大的占比，从而减低导通电阻。再者，本申请中，每个独立控制栅极通过辅助栅极连接，以使整个栅极成为一个整体。此时，控制栅极与辅助栅极共同增加了沟道密度，可以进一步降低导通电阻。

天眼查资料显示，江苏长晶科技股份有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本43503.1732万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏长晶科技股份有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目72次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息98条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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