安徽金锘科技申请低损耗低电阻高BS纳米晶屏蔽片制备方法专利,屏蔽效果的一致性及稳定性好
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2025-11-29 15:37:06
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国家知识产权局信息显示,安徽金锘科技有限公司申请一项名为“一种低损耗低电阻高BS纳米晶屏蔽片制备方法”的专利,公开号CN121038257A,申请日期为2025年8月。

专利摘要显示,本发明涉及磁性材料技术领域,尤其涉及一种低损耗低电阻高BS纳米晶屏蔽片制备方法,包括胶材、带材、压合辊轮、缓冲辊轮A、碎磁辊A、碎磁辊B、碎磁辊C、碎磁辊D、缓冲辊轮B以及收料卷,包括步骤:S1、将高Bs纳米晶带材卷绕成磁环;还包括以下步骤:S2、将S1步骤卷绕好的高纳米晶磁环水平放置并直接放入炉体;S3、将炉体内部抽真空至负压0.1Mpa;S4、向炉体内部冲入氮至正压0.1Mpa。经过优化后的加热方案与XY辊碎磁方案,使得该纳米晶材料作为无线充电屏蔽片,具有优异的软磁性能,在100KHZ测试条件下,高磁导低磁损,高效率低损耗,对于碎磁后电磁屏蔽片磁导率控制在一定范围,屏蔽效果的一致性及稳定性好。

天眼查资料显示,安徽金锘科技有限公司,成立于2024年,位于滁州市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2400万人民币。通过天眼查大数据分析,安徽金锘科技有限公司共对外投资了1家企业,专利信息3条。

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来源:市场资讯

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