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杭州富芯半导体申请硅电容器、光刻掩模版及制造方法专利，有效面积大能够达到更大的电容值

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2025-11-29 12:36:10

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国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“一种硅电容器、光刻掩模版及硅电容器的制造方法”的专利，公开号CN121038294A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种硅电容器，包括：在硅衬底上设置的沟槽；所述沟槽用于设置电容器结构；述沟槽在硅衬底的表面方向的布置如下：所述沟槽包括复数个纵向分布的第一类沟槽和复数个横向分布的第二类沟槽；其中，至少部分所述第一类沟槽和部分第二类沟槽贯通连接。本申请提供的硅电容器的有效面积大，能够达到更大的电容值；具有良品率高，结构简单、性能可靠的优点。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目35次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息328条，此外企业还拥有行政许可27个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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