强一半导体申请磁控溅射设备及镀膜方法专利_资讯

强一半导体申请磁控溅射设备及镀膜方法专利

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2025-11-29 11:37:18

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国家知识产权局信息显示，强一半导体（苏州）股份有限公司申请一项名为“磁控溅射设备及镀膜方法”的专利，公开号CN121023449A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种磁控溅射设备以及镀膜方法，该磁控溅射设备包括：基板、靶材以及位于靶材与基板之间的防着板，所述的靶材具有一长边和一宽边，且长边尺寸大于宽边尺寸，所述的防着板具有中间镂空的框型结构，其特征在于，所述的防着板上安装有一对弧形修正板，所述的修正板具有朝向靶材中央凸起的弧边和平行于靶材长边的基线，所述的基线与防着板的内侧边缘齐平。

天眼查资料显示，强一半导体（苏州）股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本9716.9418万人民币。通过天眼查大数据分析，强一半导体（苏州）股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目54次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息259条，此外企业还拥有行政许可19个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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