晶合集成申请MIM电容器及其制作方法专利，节省一张掩膜版的使用降低生产成本_资讯

晶合集成申请MIM电容器及其制作方法专利，节省一张掩膜版的使用降低生产成本

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2025-11-29 09:36:17

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国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“MIM电容器及其制作方法”的专利，公开号CN121038296A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明提供一种MIM电容器及其制作方法，所述方法包括：提供包括器件区与虚拟区的基底，在基底内形成第一浅沟槽；在第一浅沟槽内填充第一多晶硅；刻蚀第一多晶硅在第一浅沟槽内形成第二浅沟槽；在第二浅沟槽内填充介质层；刻蚀介质层在第二浅沟槽内形成第三浅沟槽；在第三浅沟槽内填充第二多晶硅；对虚拟区内的第一多晶硅与第二多晶硅进行离子注入形成下极板与上极板。本发明在前段工艺中制作MIM电容器，不需要额外的掩膜版，与现有技术相比，节省了一张掩膜版的使用，降低了生产成本；同时，本发明的MIM电容器不占据金属层的面积，增加了芯片主体使用面积，提高了器件的集成度。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目632次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1435条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示多晶硅投资沟槽降低生产电容器集成晶合专利浅沟槽掩膜

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