上海新微技术研发中心申请基于深度对抗监督的半导体芯片表面缺陷检测方法专利，提高缺陷检测精度_资讯

上海新微技术研发中心申请基于深度对抗监督的半导体芯片表面缺陷检测方法专利，提高缺陷检测精度

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2025-11-29 09:09:02

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国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“基于深度对抗监督的半导体芯片表面缺陷检测方法”的专利，公开号CN121032983A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本申请涉及缺陷检测技术领域，尤其涉及一种基于深度对抗监督的半导体芯片表面缺陷检测方法，包括获取芯片表面图像，输入预先构建的缺陷检测模型，得到芯片表面图像的缺陷分割结果；缺陷检测模型包括编码器、解码器以及判别器；编码器用于提取芯片表面图像的多尺度特征；解码器用于基于多尺度特征逐层恢复图像的空间分辨率，并输出对应尺度的缺陷分割结果；判别器用于判别解码器在对应尺度输出的缺陷分割结果与对应尺度的真实标签图像之间的差异；先通过计算语义分割损失更新编码器和解码器的参数；随后结合判别器的判别结果进行对抗训练，联合优化编码器、解码器及判别器的参数，实现缺陷检测模型参数的迭代更新。本申请能够提高缺陷检测精度。

天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目483次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息772条，此外企业还拥有行政许可46个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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