意法半导体申请具有过电压保护的集成功率器件专利，实现过电压保护
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2025-11-28 13:37:48
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国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“具有过电压保护的集成功率器件”的专利，公开号CN121038368A，申请日期为2025年5月。
专利摘要显示，本公开的各实施例涉及具有过电压保护的集成功率器件。一种集成功率器件包括：包括异质结构的管芯，该管芯具有至少部分形成在异质结构中并具有主源极端子、主漏极端子和主栅极端子的主高电子迁移率晶体管(HEMT)。耦接在主HEMT的主源极端子与主栅极端子之间的过电压保护电路。过电压保护电路包括至少部分形成在异质结构中的至少一个保护HEMT。
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来源：市场资讯
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