国科光领取得一种宽波长电吸收调制激光器芯片专利，大大降低集成芯片的功耗_资讯

国科光领取得一种宽波长电吸收调制激光器芯片专利，大大降低集成芯片的功耗

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2025-11-28 12:09:32

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国家知识产权局信息显示，武汉国科光领半导体科技有限公司取得一项名为“一种宽波长电吸收调制激光器芯片”的专利，授权公告号CN 223599237 U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本实用新型涉及激光芯片技术领域，具体涉及一种宽波长电吸收调制激光器芯片及其制备方法和应用。本实用新型提供的宽波长电吸收调制激光器芯片包括衬底、第一调制器层、第一前光栅层、第一增益层、第一相层、后光栅层、第二相层、第二增益层、第二前光栅层、第二调制器层、取样光栅、包层、电接触层、电隔离沟、P面电极和N面电极。取样光栅设置在第一前光栅层、后光栅层与第二前光栅层内。在所有功能层上方，依次堆叠有包层与电接触层，各功能层之间设置有电隔离沟，电接触层的上方设有P面电极，衬底下方设有N面电极。该芯片利用同一个后取样光栅反射区，实现同一集成芯片双端出光，速率和波长调谐性能翻倍的效果，大大降低集成芯片的功耗。

天眼查资料显示，武汉国科光领半导体科技有限公司，成立于2023年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1422.5184万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉国科光领半导体科技有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可3个。

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来源：市场资讯

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