西部创芯取得功率IC器件的封装结构专利，避免封装层膨胀时将散热器与基板拉扯开_资讯

西部创芯取得功率IC器件的封装结构专利，避免封装层膨胀时将散热器与基板拉扯开

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2025-11-28 09:36:12

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国家知识产权局信息显示，深圳市西部创芯信息科技有限公司取得一项名为“功率IC器件的封装结构”的专利，授权公告号CN223598712U，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种功率IC器件的封装结构，包括：散热器、基板、芯片、封装层、两个以上的弹簧螺丝；基板设置在散热器的顶面，芯片设置在基板的顶面；封装层设置在基板上且包裹芯片，封装层与散热器之间设有预设距离以形成变形容纳区域；基板连接散热器的一面设有连接部，且连接部与散热器的接触面积小于连接部与基板的接触面积封装层通过两个以上的弹簧螺丝与散热器固定连接。封装层与散热器之间设有预设距离以形成变形容纳区域，当封装层因升温出现膨胀现象后，变形容纳区域可以为封装层提供足够的形变空间，避免封装层与散热器直接接触导致的封装层膨胀时将散热器与基板拉扯开。

天眼查资料显示，深圳市西部创芯信息科技有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市西部创芯信息科技有限公司财产线索方面有商标信息4条，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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