华虹宏力申请闪存及其形成方法专利，提升嵌入式闪存器件性能_资讯

华虹宏力申请闪存及其形成方法专利，提升嵌入式闪存器件性能

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2025-11-27 11:22:56

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存及其形成方法”的专利，公开号CN 121013344 A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明提供一种闪存的形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有字线，字线两侧分别形成有堆叠的浮栅、间隔层和控制栅；衬底的有源区表面露出；在有源区表面进行非晶化注入，形成非晶层；在非晶层上方向衬底进行LDD注入以在源区和漏区形成轻掺杂漏结构；应力介质层覆盖非晶层；对应力介质层进行退火，退火过程中非晶层重结晶，将应力介质层的应力传递至非晶层并记忆下来；去除应力介质层。本发明SMT1工艺应力被记忆在闪存的含源端和漏端的有源区；提升嵌入式闪存器件性能。将SMT1工艺集成到嵌入式闪存工艺中，将应力记忆在闪存器件的有源区，提高电子的载流子迁移率，扩大读1的电流值。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目928次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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