华羿微电子申请改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法专利，降低漏电流和栅源击穿风险_资讯

华羿微电子申请改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法专利，降低漏电流和栅源击穿风险

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2025-11-25 15:38:30

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国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法”的专利，公开号CN 121001374 A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法。涉及半导体器件制造技术领域，包括，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上外延生长N型轻掺杂外延层，并通过光刻及干法刻蚀形成纵深沟槽。该改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法，通过优化沟槽形貌和氧化层工艺，解决屏蔽栅MOSFET器件中因沟槽顶部尖锐顶角导致的电场集中和氧化层击穿问题。采用等离子体干法刻蚀结合湿法刻蚀的选择性去除工艺，精确消除尖锐顶角结构；通过各向同性离子束刻蚀形成50nm-150nm半径的圆滑过渡，实现氧化层厚度均匀分布，降低漏电流和栅源击穿风险。

天眼查资料显示，华羿微电子股份有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41509.5832万人民币。通过天眼查大数据分析，华羿微电子股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目28次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息223条，此外企业还拥有行政许可31个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法氧化投资降低器件华羿微电子 nm- 专利氧化层沟槽漏电

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