SK海力士申请存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠专利，暴露第二存储芯片的外部芯片焊盘并覆盖其内部芯片焊盘_资讯

SK海力士申请存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠专利，暴露第二存储芯片的外部芯片焊盘并覆盖其内部芯片焊盘

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2025-11-25 12:35:54

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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠”的专利，公开号CN 121001360 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本公开涉及存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠。一种存储介质包括堆叠在基板之上的第一存储芯片、堆叠在第一存储芯片之上的第二存储芯片和堆叠在第二存储芯片之上的第三存储芯片。第一存储芯片、第二存储芯片和第三存储芯片以阶梯状堆叠。第一存储芯片、第二存储芯片和第三存储芯片中的每一个包括：外部芯片焊盘，其被设置为形成邻近第一边缘的外部行；以及内部芯片焊盘，其被设置为形成与第一边缘间隔开的内部行。第三存储芯片堆叠在第二存储芯片之上，以暴露第二存储芯片的外部芯片焊盘并覆盖第二存储芯片的内部芯片焊盘。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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