中芯国际申请存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器专利，提高所制备的存储单元的电性能可靠性_资讯

中芯国际申请存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器专利，提高所制备的存储单元的电性能可靠性

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2025-11-25 12:07:54

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器”的专利，公开号CN 121001356 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器。该存储单元的形成方法通过提供一初始晶圆结构；初始晶圆结构包括结构区和环绕结构区的晶边区；初始晶圆结构至少包括由下至上依次设置的衬底、浮栅材料层、层间绝缘层、控制栅材料层和硬掩膜材料层；在初始晶圆结构上形成光阻层；去除位于晶边区的光阻层；对晶边区进行刻蚀处理，以去除晶边区的浮栅材料层、层间绝缘层、控制栅材料层和硬掩膜材料层；图形化结构区，得到存储单元。从而可以避免晶边区对控制栅刻蚀的影响，提高了所制备的存储单元的电性能可靠性以及良品率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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