中科无线半导体申请氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法专利，显著提高光输出效率_资讯

中科无线半导体申请氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法专利，显著提高光输出效率

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2025-11-25 11:08:54

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国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法”的专利，公开号CN 121001471 A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明提供了一种氮化镓基发光二极管外延结构及制备方法，涉及半导体器件技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的AlN成核层，该成核层中包含多个气孔以形成光散射结构；依次设置在AlN成核层上的N型GaN层、包含铟组分渐变量子阱的活性层、以及电子阻挡层和P型GaN层。在P型GaN层的侧向边缘设置了边缘终止层该层通过N离子梯度掺杂形成逐渐变化的电荷分布，以平滑边缘电场。本发明通过光散射结构和优化的活性层设计显著提高了光输出效率，同时通过创新的边缘终止层结构大幅提升了器件的反向击穿电压和工作可靠性。

天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1次，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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