国家知识产权局信息显示,半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“用于光电二极管的复位栅极”的专利,公开号CN 121000984 A,申请日期为2024年8月。
专利摘要显示,本发明公开了用于光电二极管的复位栅极。实施例涉及一种部分地覆盖用于光传感器的像素的复位栅极沟道的掩埋沟道。该掩埋沟道可降低光电二极管与该复位栅极之间的势垒,以使得电荷可在复位时段期间更快地从该光电二极管区域排出。这可能导致更短的复位时段,从而可提高全局快门的帧速率。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
来源:市场资讯