瑶华半导体申请半导体封装结构和半导体结构专利，导热性能优异_资讯

瑶华半导体申请半导体封装结构和半导体结构专利，导热性能优异

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2025-11-24 19:08:01

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国家知识产权局信息显示，长沙瑶华半导体科技有限公司申请一项名为“半导体封装结构和半导体结构”的专利，公开号CN 120998912 A，申请日期为2025年7月。专利摘要显示，本申请涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种半导体封装结构和半导体结构。该半导体封装结构，至少包括：依次堆叠的法兰层和陶瓷基板层；其中：所述法兰层和所述陶瓷基板层的接触界面形成第一金属化层；所述陶瓷基板层表面用于连接待封装芯片，所述待封装芯片和所述陶瓷基板层之间的接触界面形成有第二金属化层；所述第二金属化层包括相互独立的源极、漏极和栅极；所述源极、所述漏极和所述栅极之间设置有隔离区。提供了一种导热性能优异，耐高压高温，热应力小，适用范围广，使用寿命长，成本更低，可靠性更高的半导体封装结构。

天眼查资料显示，长沙瑶华半导体科技有限公司，成立于2020年，位于长沙市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，长沙瑶华半导体科技有限公司参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可18个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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