对于整个光刻机的行业发展史来说，浸润式DUV光刻机，真的是一种BUG式的存在。

浸润式DUV光刻机的原理，其实就是在普通的DUV光刻机镜头后面，加了一层水为介质，而普通的DUV光刻机中，介质为空气，也被称之为干式DUV光刻机。

学过物理的都知道，光线在经过水的折射后，其波长会发生变化的，普通DUV光刻机，光线的波长是193nm，经过水的折射后，变成了134nm了。

光线的波长越短，分辨率就越高，能制造的芯片就越先进。

在浸润式光刻机出来之前，其它的光刻机厂商，都认为在193nm波长的光线之后，应该去研究157nm波长的光线，比如尼康、佳能就是这么干的。

但157nm波长的光线，很难搞定，所以台积电的林本坚突发奇想，觉得可以利用一下水的折射原理，让光源还是193nm，但经过水后，实际变成134nm，波长更短，还跨过了157nm阶段，岂不美哉。

但尼康、佳能觉得这样不行，更何况他们在研发157nm的光刻机上投入太多了，没法放弃，骑虎难下，只能硬着头皮，一条道走到黑。

在当时还是小厂的ASML，觉得自己没有什么可失去的，就陪着台积电赌了一把，押注这个浸润式DUV光刻机，于是赌成功了。

而提出这个方案的林本坚，也被称为“浸润式DUV光刻机之父”。

后来ASML越来越强，还推出了EUV光刻机，采用13.5nm波长的极紫外线，很多的企业在制造7nm芯片时，将切换成了EUV，因为EUV在制造7nm芯片时，都不需要多重曝光，一次光刻就行了。

但浸润式DUV光刻机的极限到底在哪里？

林本坚之前其实是有说过的，浸润式DUV光刻机，其支持的工艺，其实并不只是停留在7nm就结束了，是可以继续往下的。

通过多重曝光，7nn芯片能制造，5nm芯片也能制造，甚至3nm芯片也不是不可能。

只是曝光的次数越多，那么其成本越高，良率下降的也越厉害，再加上曝光的次数越多，生产的效率肯定也会低一些，这样产能也会受到影响。

比如采用EUV，一次曝光就行，但如果采用浸润式DUV光刻机，需要曝光4次，理论上在光刻这个阶段，就需要4倍的时间和成本了。

但是，大家都明白的，如果EUV买不到，又需要制造7nm、5nm芯片时，那么成本高一点，也不是不能接受的，只能采用浸润式DUV来制造7nm、5nm，甚至3nm的芯片了。

我们之前已经拥有了国内制造7nm芯片，应该采用的就是浸润式光刻机来光刻机的，那么后续我们再推出5nm芯片，也就不那么意外了。

毕竟我们之前从ASML已经购买到了非常多的浸润式DUV，可以说5nm芯片肯定是不用愁的，至于3nm，有希望利用浸润式DUV造出来，但难度相对更大一点。