存踵科技申请非易失性存储器结构和制备等相关专利，提高存储器的整体稳定性_资讯

存踵科技申请非易失性存储器结构和制备等相关专利，提高存储器的整体稳定性

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2025-11-03 01:04:50

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金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，存踵科技（上海）有限公司申请一项名为“非易失性存储器结构和制备方法、编程、擦除及读出方法”的专利，公开号CN120475716A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种非易失性存储器结构和制备方法、编程、擦除及读出方法，包括：衬底，衬底中设置有源区和漏区；浮栅结构，包括：第一介质层，设置于源区和漏区之间；电荷存储层，设置于第一介质层上，电荷存储层包含多个相互电隔离的纳米存储点；第二介质层，设置于电荷存储层上；控制栅极，设置于第二介质层上。本发明的电荷存储层包含多个相互电隔离的纳米存储点，在编程时可将电荷存储在相互电隔离的多个纳米存储点中，当任一纳米存储点发生击穿时，由于各纳米存储点之间是电隔离的，其余未损坏的纳米存储点仍然能够正常存储电荷，使得电荷存储层能够维持正常存储功能，进而提高存储器的整体稳定性，增加存储器的寿命。

天眼查资料显示，存踵科技（上海）有限公司，成立于2025年，位于上海市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本600万人民币。通过天眼查大数据分析，存踵科技（上海）有限公司共对外投资了1家企业，专利信息1条。

来源：金融界

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