首次!中国芯片领域取得新突破
北京大学化学与分子工程学院彭海林教授团队及其同事首次利用低温电子断层扫描(CT)技术,原位解析了液态环境中光刻胶分子的微观三维结构、界面分布和纠缠行为,并由此开发出一种显著降低光刻缺陷的工业化解决方案。相关研究成果近期发表在《自然·通讯》杂志上。

光刻胶如同构成电路的颜料,其在显影液中的运动状态直接决定了电路的精度和质量,进而影响芯片的良率。
长期以来,光刻胶在显影液中的微观行为如同一个“黑匣子”,工业工艺优化完全依赖于反复试验。这成为制约7纳米及以下先进工艺良率提升的关键瓶颈。

研究人员最终合成了分辨率优于5纳米的微观三维“全景图像”,从而克服了传统技术阻碍三维高分辨率原位观察的三大限制。

彭海林解释说,冷冻CT是分析原子和分子水平上各种液相界面反应的有力工具。深入了解聚合物在液体中的结构和微观行为,可以促进缺陷控制,并有助于改进先进工艺中光刻、刻蚀和湿法清洗等关键工艺。
