周一，韩国科技巨头三星电子股价大幅上涨5%。消息面上，该公司的12层HBM3E芯片产品终于通过英伟达认证测试，这意味着这家芯片巨头在全球人工智能芯片赛道上取得了重要突破。

当天，三星股价早间一度上涨5%至83400韩元，创下过去一年以来新高。在三星大涨的带动下，韩国综合股价指数上午上涨0.8%。

这背后的关键推动力是三星高带宽内存（HBM）芯片的重要进展：三星在多次尝试失败后，终于通过了英伟达对其第五代12层HBM3E产品的认证测试——这对于这家芯片巨头来说是一大重要里程碑。

韩国媒体报道称，三星正在准备向英伟达供应其12层HBM3E存储芯片，初期产量和供应量将有限。此前，三星已经向AMD和博通公司供应了HBM3E产品，但始终未能通过英伟达的认证测试。据称，英伟达要求供应商实现超过每秒10千兆位元的HBM数据传输速度，远高于目前行业标准的8Gbps。

此前，三星的竞争对手、存储芯片公司SK海力士已经跑在了三星前方，开始大规模量产并向英伟达供应HBM芯片，美光科技公司也紧随其后。三星将成为英伟达HBM芯片的第三家供应商。

不过目前来看，SK海力士仍然跑在队伍最前方。上周，SK海力士表示，该公司已完成了HBM4芯片的开发，并推动其股价创下历史新高。周一，SK海力士的股价则呈横盘走势。而美光科技美股上周五下跌3.5%。

富国银行分析师Andrew Rocha指出，三星芯片的进展可能会对HBM的市场定价产生负面影响，“特别是如果三星以折让价格出售其产品以获取市场份额的话”。

Rocha补充说，随着美光股价现已接近170美元，目前市场对该公司即将发布的财报预期很高。

三星电子的归位，也意味着HBM4的大战全面升温。公司此前曾表示，正在与英伟达、博通以及谷歌等主要AI芯片厂商就HBM4进行洽谈，最早可以在2026年上半年开始大规模出货。

同一天，三星大幅上调内存和闪存产品价格，DRAM产品涨幅高达30%，NAND闪存价格上涨5%—10%，原因是供应紧张和云端企业需求激增。美光和闪迪等竞争对手同时宣布类似涨价措施，其中美光涨幅达20%—30%并暂停接受新订单。

据韩国媒体报道，三星将LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品价格上调30%，eMMC和UFC等NAND闪存产品价格上涨5%—10%。供应紧张主要源于老产品减产和大型云服务商需求增长。

此轮涨价反映出内存行业正经历结构性转变。厂商将重心转向AIPC和下一代智能手机等新兴市场，导致传统产品供应收缩。摩根士丹利预计，随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。

三星并非独自行动。美光已通知客户价格将上涨20%—30%，同时暂停接受新订单。闪迪宣布NAND闪存产品涨价10%。这表明整个内存行业正面临供需失衡压力。

供应紧张的根本原因在于产业重心转移。随着AIPC和新一代智能手机采用LPDDR5/X标准，厂商减少了老产品生产，但新标准产能尚未跟上需求增长。DDR4内存价格已暴涨50%，使DDR5成为更具成本效益的PC解决方案。

内存价格上涨将直接影响消费电子和企业采购成本。三星作为全球最大内存厂商之一，其定价策略通常引领行业走向，市场担忧供应紧张可能持续至2025年。

需求激增成为推高价格的关键因素。各大DRAM厂商纷纷转向AI赛道，优先为英伟达、AMD等AI加速器供应最新产品。这种优先级调整导致消费级DRAM供应更加紧张。

三星目前占据32.7%的DRAM市场份额和32.9%的NAND市场份额。公司正努力获得英伟达支持以推广其HBM产品，同时加速LPDDR6DRAM开发，首批设计预计今年晚些时候推出。

此前摩根士丹利在研报中表示，HBM“溢价神话”面临挑战，2026年将出现激烈竞争和定价压力。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块，大摩特别看好传统DRAM的投资价值。

DRAM和NAND的供需结构趋紧，似乎增强了涨价的必要性。花旗集团预测，明年DRAM和NAND闪存的供应将分别短缺1.8%和4%。摩根士丹利也预测，明年NAND的供应短缺将高达8%。

北京商报综合报道