9月4日，中微公司在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上宣布推出六款半导体设备新产品，覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺。

上证报中国证券网讯（记者 郑维汉）9月4日，中微公司在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上宣布推出六款半导体设备新产品，覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺。

具体来看，在刻蚀技术方面，中微公司此次发布的两款新品，CCP电容性高能等离子体刻蚀机PrimoUD-RIE®与Primo Menova™12寸ICP单腔刻蚀设备，分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域提供了领先和高效的解决方案。

薄膜沉积方面，中微公司推出的12英寸原子层沉积产品Preforma Uniflash®金属栅系列，涵盖Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。

新兴技术领域方面，中微公司发布的全球首款双腔减压外延设备PRIMIO Epita® RP，可满足从成熟到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求，并已于去年8月付运到客户进行成熟制程和先进制程验证，且进展顺利。

中微公司董事长兼总经理尹志尧在主旨报告环节中表示，中微公司始终以市场与客户需求为导向，持续加大研发力度。公司2025年上半年研发投入达14.92亿元，同比增长约53.70%，研发投入占公司营业收入比例约为30.07%。目前，公司在研项目涵盖六大类、超二十款新设备，研发速度实现跨越式提升——过去一款新设备的开发周期通常为3到5年，如今仅需2年甚至更短时间就能推出极具市场竞争力的产品并顺利落地。