8月29日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，已与深圳基本半导体股份有限公司（以下简称：基本半导体）就功率模块产品正式签署战略合作协议。

图片来源：基本半导体

通过将东芝电子元件拥有的先进SiC及IGBT芯片技术，与基本半导体拥有的高性能、高可靠性模块技术相结合，致力于在全球范围内提供具有竞争力的产品，以满足车载及工业领域快速发展的需求。

资料显示，东芝电子元件的功率半导体产品兼具高功率密度与质量稳定性，通过提升功率转换效率，为减少环境负荷做出了贡献。其中，SiC MOSFET兼具低导通电阻与高可靠性，而IGBT则具有大电流与高可靠性，两者均拥有丰富的市场应用案例。

基本半导体是中国SiC功率半导体行业标杆企业，积极推进SiC芯片及功率模块的技术研发，已向市场推出多款符合车规级和工业级产品，被广泛应用于新能源汽车、光伏储能等领域。通过此次战略合作，加强双方的市场竞争力，有助于推出更多创新的解决方案。

稍早之前，东芝电子元件已与天岳先进宣布，就天岳先进开发制造的SiC功率半导体用衬底达成基本协议。双方将针对SiC功率半导体特性提升与品质改善的技术协作，以及运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。今后双方将就共同推进或相互协作的具体事项展开详细磋商。

天岳先进表示，与东芝电子元件达成合作，天岳先进将把SiC功率半导体产品的需求，以及东芝对SiC衬底核心技术应用的期待，转化为衬底品质与可靠性的提升，助力SiC功率半导体市场发展。

（文/集邦化合物半导体 Flora 整理）

<<<欢迎评论区留言或者私信，获取更多化合物半导体相关内容