杭州积海半导体申请沟槽型MIM电容器及其制造方法专利，减少漏电流_资讯

杭州积海半导体申请沟槽型MIM电容器及其制造方法专利，减少漏电流

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2025-08-26 17:04:50

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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，杭州积海半导体有限公司申请一项名为“沟槽型MIM电容器及其制造方法”的专利，公开号CN120547884A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明提供了一种沟槽型MIM电容器及其制造方法，属于半导体领域。该沟槽型MIM电容器包括半导体衬底，在所述半导体衬底上的第一介质层内具有多个沟槽；底部电极，沿着所述多个沟槽的底部和侧面设置，并且沿着所述第一介质层的上表面横向延伸；氧供体层，仅覆盖所述沟槽侧面的底部电极；顶部电极，设置于所述高介电常数介质层表面，并将所述沟槽填满，所述高介电常数介质层将所述底部电极和顶部电极隔离开。本发明通过仅在沟槽侧面的底部电极层上设置氧供体层，氧供体层可以为底部电极层提供氧气，降低氧空位的浓度，从而减少漏电流。在水平部分没有氧供体层，确保电容介电常数k值不会降低。

天眼查资料显示，杭州积海半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州积海半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目530次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息115条，此外企业还拥有行政许可17个。

来源：金融界

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