上海新微半导体取得半导体激光器专利，有效释放衬底中的应力_资讯

上海新微半导体取得半导体激光器专利，有效释放衬底中的应力

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2025-08-26 09:33:41

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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，上海新微半导体有限公司取得一项名为“半导体激光器”的专利，授权公告号CN223273663U，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种半导体激光器，通过在有源区与衬底的第二表面之间设置纵横交错的多个第一凹槽和多个第二凹槽，可以增加衬底的第二表面的粗糙度，从而有效释放衬底中的应力，降低衬底的第二表面的翘曲，进而提高器件的可靠性。此外，相邻的两个第一凹槽与相邻的两个第二凹槽之间具有散热孔，金属电极覆盖第一凹槽的内表面、第二凹槽的内表面、散热孔的内表面和衬底的第二表面。通过设置散热孔，可以减小有源区与金属电极之间的距离，使得有源区产生的热量可以较容易的穿过衬底到达金属电极并被金属电极迅速传导出去，由此改善半导体激光器的散热效果，提升了器件的散热能力，延长了器件的使用寿命，并降低了接触电阻。

天眼查资料显示，上海新微半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本90950万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微半导体有限公司参与招投标项目827次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可75个。

来源：金融界

显示激光器信息器件散热表面导体应力凹槽专利电极有源区半导体激光器衬底

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